behlke快速高壓晶體管開(kāi)關(guān)HTS 151-03-GSM

HTS-GSM系列的開(kāi)關(guān)模塊由兩個(gè)相同的MOSFET開(kāi)關(guān)路徑組成，

分別形成所謂的半橋電路推挽電路。兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑都由公共驅(qū)動(dòng)器

控制，該公共驅(qū)動(dòng)器還為開(kāi)關(guān)之一提供邏輯信號(hào)否定。開(kāi)關(guān)是相互

被動(dòng)鎖定的，因此在任何情況下，包括如果控制輸入受到電磁干擾

(例如，由于不良的EMC設(shè)計(jì))，橋中的短路都被排除在外。特

別是在帶容性負(fù)載的脈沖發(fā)生器中，推挽原理比傳統(tǒng)的單開(kāi)關(guān)電路

具有很大的*性。推挽電路不需要大容量的儲(chǔ)能電容器來(lái)實(shí)現(xiàn)低

的脈沖降，而且由于沒(méi)有工作電阻的功率損耗，推挽脈沖發(fā)生器的

效率很高，無(wú)論脈沖寬度、頻率和占空比如何。脈沖發(fā)生器只提取

電流用于對(duì)連接的負(fù)載電容充電。由于開(kāi)關(guān)的定時(shí)非常精確，除了

開(kāi)關(guān)自然電容的峰值充電電流外，電橋中幾乎沒(méi)有交叉電流。

開(kāi)關(guān)是由3至10伏特幅度的正向信號(hào)控制的。過(guò)頻、熱過(guò)載

(長(zhǎng)期過(guò)載)和不正確的輔助電源等故障條件將開(kāi)關(guān)路徑A

設(shè)置為關(guān)斷狀態(tài)，而將開(kāi)關(guān)路徑B設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。故障在

故障信號(hào)輸出端顯示為“L"信號(hào)。沒(méi)有5VDC電源，兩個(gè)開(kāi)

關(guān)路徑(A和B)都處于關(guān)閉狀態(tài)。這意味著，沒(méi)有5VDC的

輸出潛力可能是不確定的，如果高壓仍然適用。為了確保在

這種情況下定義的高電壓輸出電位，上拉或下拉電阻器必須

連接到輸出。

特點(diǎn)

快速過(guò)渡時(shí)間，上升時(shí)間和下降時(shí)間~15 ns

從150ns到無(wú)窮大的可變脈沖寬度

在脈沖頂部沒(méi)有脈沖下降和非常低的紋波

無(wú)工作電阻電源，緩沖電容小

HTS 151-03-GSM技術(shù)參數(shù)

最大工作電壓 2x15000V

典型擊穿電壓 2x18000V

最大峰值電流能力 2x30A

最大連續(xù)負(fù)載電流 2x0.41A

靜態(tài)導(dǎo)通電阻 2x90Ω

最大離態(tài)電流 10μADC

傳播延遲時(shí)間 150 ns

典型輸出轉(zhuǎn)換時(shí)間 26 ns

輸出脈沖寬度 [ns] 150...∞

最小脈沖間隔 400ns

連續(xù)開(kāi)關(guān)頻率 10kHz

最大突發(fā)頻率 2.5MHz

尺寸 163x64x62 mm3

重量 460g

behlke快速高壓晶體管開(kāi)關(guān)HTS 151-03-GSM